在熱氧化過程中(zhōng)，經常會引入一(yī)種缺陷，稱爲氧化層錯。自1963年首次觀察到熱氧化層錯到現在，國内外(wài)都做了大(dà)量工(gōng)作，對它有了初步的認識，但有些問題仍不很清楚，有待于更深入的研究。

    把按規定時間腐蝕好的矽的表面，放(fàng)在光學顯微鏡下(xià)便可看到一(yī)種沿方向的杆狀缺陷，這種杆狀缺陷随着腐蝕的時間增加長度不變，但會逐漸變成啞鈴狀，進而成半月狀，也可能成爲橢圓狀，這就是熱氧化後産生(shēng)的氧化層錯。

    熱氧化層錯的形成是在含氧的氣拭中(zhōng)，由表面或體(tǐ)内的某些缺陷先構成層錯的核，然後高溫下(xià)核逐步長大(dà)形成層錯，其機理是較複雜(zá)的，通常形成層錯核的原因有幾個:矽片表面的機械損傷、離(lí)子注入的損傷、鈉離(lí)子和氟離(lí)子的沾污、點缺陷的凝聚及氧化物(wù)的沉澱等。表面的機械損傷和化學污染形成的層錯爲表面型氧化層錯，而由晶體(tǐ)内缺陷形成的層錯爲體(tǐ)内型氧化層錯。

    熱氧化層錯的存在會造成雜(zá)質的局部堆集，形成擴散管道，造成發射極一(yī)集電極短路。器件的漏電流随層錯密度增加而增加，PN結的擊穿電壓也會随層錯密度增加而降低，對于MOS器件，它能使栅電極下(xià)産生(shēng)較大(dà)的暗電流。總之層錯的存在會降低器件的成品率。尤其是對中(zhōng)大(dà)規模電路影響更大(dà)，必須引起足夠重視。